价格 | ¥ 158000.00 |
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说明 | ![]() |
PECVD 等离子体化学气相沉积该产品具有固态等离子源、PECVD化学气相沉积、分开式反应气体进气系统,动态衬底温控,全面控制真空系统,
适用于室温至1200℃条件下进行的SiO2、SiNx,、 SiONx a-Si薄膜的沉积,同时可实现TEOS源沉积,SiC膜层沉积以及液态或气态源沉积其它材料。
PECVD 等离子体化学气相沉积参数
型 号 | 流量控制 | 清洗镀膜RF功率 | 管径 | 最大式样尺寸 in | 加热区 | 最高 温度 | 外形尺寸mm | 功率 | 重 量 | ||
(外)mm | 长度mm | 长 | 高 | 深 | Kg(约) | ||||||
NBD-PECVD1200-80ITD2F | 两路质量流量计 | 20~200W可调 | Φ60Φ80 | 2~3″ | 200 | 1200℃ | 1300 | 1260 | 820 | AC220V 4kw | 360 |
*可非标定制,欢迎来电垂询! |
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NBD-PECVD1200-80ITD2F:管径φ80mm |