等离子体化学气相沉积II型

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等离子体化学气相沉积II型

等离子体化学气相沉积该产品具有固态等离子源、分开式反应气体进气系统，动态衬底温控，全面控制真空系统，适用于室温至1200℃条件下进行的SiO2、SiNx,、等离子体化学气相沉积、 SiONx a-Si薄膜的沉积，同时可实现TEOS源沉积，SiC膜层沉积以及液态或气态源沉积其它材料。

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该产品具有固态等离子源、分开式反应气体进气系统，动态衬底温控，全面控制真空系统，采用集中现场控制总线技术的nobody控制软件，以及友好用户操作界面来操作。适用于室温至1200℃条件下进行的SiO2、SiNx,、 SiONx a-Si薄膜的沉积，同时可实现TEOS源沉积，SiC膜层沉积以及液态或气态源沉积其它材料，尤其适合于有机材料上高效保护层膜和特定温度下无损伤钝化膜的沉积。

基本参数

型号	流量控制	清洗镀膜RF功率	管径	最大式样尺寸 in	加热区	最高温度	外形尺寸mm			功率	重量
			(外)mm		长度mm		长	高	深		Kg(约）
NBD-PECVD1200-80ITD2Z	两路质量流量计	20~200W可调	Φ60Φ80	2~3″	200	1200℃	1300	1260	820	AC220V4kw	360
*可非标定制，欢迎来电垂询！

NBD-PECVD1200-80ITD2Z：两路质量流量计

清洗镀膜RF功率：20~200W可调

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